6月27日消息，三星设备解决方案部门总裁承认代工技术落后于台积电，但表示将在五年内超过台积电。现在有消息称，三星正准备于今年大规模生产面向AI应用的高带宽存储芯片。 据外媒KoreaTimes报道，三星计划在2023年下半年大规模生产面向AI的HBM芯片，以赶上SK海力士在AI存储芯片市场的领先地位。2022年，SK海力士在HBM市场占有约50%的份额，而三星占有约40%的份额。美光占有剩余的10%。不过，HBM市场整体上并不大，仅占整个DRAM市场的约1%。 另外，韩国为芯片产业新设立价值3

近日，三星电子在美建立尖端存储研发机构，专攻全新3D DRAM领域，力图保持其超强的科技竞争力。 据了解，该公司日前在美国加州硅谷成立的半导体美洲分部（DSA）已开始推行此项研发项目。该机构还计划积极招募全球最优秀的专家加入团队，携手推动存储产业的发展。 原有的DRAM采用2D结构，即大量元件密集排布在同一平面。然而，为了提升性能，储存行业正致力于开发高密度的3D DRAM。这项技术包括水平堆积和垂直堆积两种方式，均能有效地增加存储空间。 凭借2013年全球首发的、领先业界的3D垂直结构NAN

澳大利亚政府1月17日宣布将设立咨询机构以减轻AI风险，成为最新一个加紧管制该技术的国家。同时，澳政适应行业需求，计划与行业组织制定一整套指引准则，推动科技公司为AI撰写标签及标注水印。以此为基础，初阶段的遵从意愿原则与欧盟等地对AI企业实行的强制规定有显著区别。 澳大利亚科学技术部部长霍西克表示，尽管预期AI能推动未来经济发展，但其实施过程中仍存诸多不足之处。面对技术信任度低的难题，他认为此乃当前不可忽视之挑战。此外，采访中他强调，澳洲虽早在2015年即任命了全球首位安全专员，但对AI的监管