近日，三星电子在美建立尖端存储研发机构，专攻全新3D DRAM领域，力图保持其超强的科技竞争力。 据了解，该公司日前在美国加州硅谷成立的半导体美洲分部（DSA）已开始推行此项研发项目。该机构还计划积极招募全球最优秀的专家加入团队，携手推动存储产业的发展。 原有的DRAM采用2D结构，即大量元件密集排布在同一平面。然而，为了提升性能，储存行业正致力于开发高密度的3D DRAM。这项技术包括水平堆积和垂直堆积两种方式，均能有效地增加存储空间。 凭借2013年全球首发的、领先业界的3D垂直结构NAN