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W25Q128JVSIQ NOR FLASH是一种由WINBOND品牌生产的存储设备,具有128Mbit的存储容量,封装为SOP-8-208mil。这种存储设备采用高速版设计,可在133MHz的频率下进行读写操作,比W25Q128FVSIG,W25Q128FVFIG等类似产品更具优势。 W25Q128JVSIQ NOR FLASH的特点主要有以下几个方面。首先,它具有高速的读写速度,可以在133MHz的频率下进行操作,比常规存储设备的读写速度更快,这意味着数据可以更快地被读取和写入,进而提高了
随着科技的飞速发展,Flash芯片在存储领域的应用越来越广泛。Flash芯片中的存储单元是其核心部分,因此,如何提高存储单元的容量和性能成为了该领域的重要话题。 首先,提高存储单元的容量是Flash芯片领域的一个重要研究方向。传统的二维NAND Flash存储单元由于受到工艺尺寸和材料限制,容量提升已经遇到了瓶颈。为了解决这个问题,研究者们开始探索新型的三维存储技术,如3D NAND Flash。3D NAND Flash通过在垂直方向上堆叠存储层,实现了更高的存储密度,从而提高了存储单元的容
TrendForce集邦咨询:芯片供应商减产及季节性需求支撑,预估第三季DRAM均价跌幅收敛至0~5%据TrendForce集邦咨询最新研究指出,受惠于DRAM供应商陆续启动减产,整体DRAM供给位元逐季减少,加上季节性需求支撑,减轻供应商库存压力,预期第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。不过,目前供应商全年库存应仍处高水位,今年DRAM均价欲落底翻扬的压力仍大,尽管供给端的减产有助季跌幅的收敛,然实际止跌反弹的时间恐需等到2024年。PC DRAM方面,三大原厂集中减产DDR4的效应将
随着科技的飞速发展,芯片行业在当今社会的重要性日益凸显。作为一家专注于芯片交易的互联网企业,芯片交易网在追求商业成功的同时,也积极履行企业社会责任,推动可持续发展。本文将围绕芯片交易网的企业社会责任和可持续发展展开分析。 一、企业社会责任 1. 环保责任:芯片交易网致力于减少碳排放,降低能源消耗,从而减少对环境的影响。通过采用绿色物流和智能仓储等措施,降低运输和存储过程中的能耗。此外,芯片交易网还积极推广电子化交易,减少纸质文档的使用,从而降低森林砍伐压力。 2. 员工责任:芯片交易网重视员工
据TrendForce集邦咨询研究显示,自第四季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨,以DRAM芯片来看,预估第四季合约价季涨幅约3~8%,而此波涨势能否延续需观察供应商是否持续坚守减产策略,以及实际需求回温的程度,其中最关键的是通用型服务器领域。 PC DRAM方面,由于DDR5均价已在第三季上涨,配合新CPU机种的备货,预期将持续带动DDR5需求上升,PC OEM也将因为DDR4与DDR5均价即将进入上涨周期而愿意购货。由于原厂库存仍高且未达缺货条件,迫使三星(Samsung)
DRAM芯片颗粒价格整体走势平稳上涨空间不大由于在渠道端仍缺乏实际需求动能,近日观察到价格难以进一步攀升。以Kingston为例,由于目前手上DRAM库存仍高,因此相对其他模组厂采取较为保守的订价策略;而身为模组厂龙头的Kingston若没有调升官价,连带使得模组价格难以进一步走扬。目前现货市场的买卖双方普遍采观望态势,整体颗粒价格走势缓步向下修正。DDR4 1Gx8 3200/2666部分,SK Hynix DJR-XNC/CJR-XNC市价落在USD1.46左右, Samsung WC-B
随着科技的不断进步,国产芯片行业在近年来取得了显著的突破。长江存储作为国内知名的芯片制造商,其DRAM产品在市场上展现出了独特的优势。本文将详细介绍长江存储DRAM产品的特点、市场地位、应用场景、质量以及未来前景,以展现国产芯片的实力。 一、长江存储DRAM产品的基本情况 长江存储的DRAM产品具有多种类型和容量,涵盖了从消费级到企业级的应用需求。与市场上的同类产品相比,长江存储的DRAM产品在容量和性能上均具有显著优势。此外,该公司的DRAM产品还采用了先进的制程技术,使得其性能和功耗表现更
DRAM市场第三季度复苏,全球产业营收增长18% 随着DRAM市场的复苏,全球产业在第三季度实现了18%的营收增长。这一增长主要得益于合约价的上涨,预计第四季度合约价将继续上涨13%至18%。然而,需求方面的回温程度不如过去旺季,这将对DRAM产业的出货增长产生限制。 在具体厂商方面,三星在第三季度的DRAM营收实现了约15.9%的增幅,达到52.5亿美元。而SK海力士则受益于HBM和DDR5产品的需求,出货量连续三个季度增长,营收达到了46.26亿美元,季增幅度达34.4%。美光虽然平均销售
在最近的IEDM上,三星电子、美光科技和台积电公布了DRAM和存储器技术的最新突破。三星电子开发了适用于10纳米以下技术节点的垂直通道DRAM单元晶体管技术,美光科技则展示了32Gbit大容量非易失性RAM原型,而台积电则开发了一种嵌入式存储器,其中STT-MRAM单元配置有一个选择器和一个磁隧道结(MTJ)。 三星电子表示,已开发出适用于10纳米以下技术节点的垂直通道DRAM单元晶体管技术。这项技术使用氧化物半导体IGZO作为沟道材料,用于DRAM单元的垂直沟道晶体管单片集成在核心电路晶体管
韩国商工会议所会长、SK集团会长崔泰源近日表示,半导体产业正在走出谷底,价格正在复苏,但供需尚未达到平衡。 在新闻发布会上谈到半导体行业时,崔泰源表示,希望明年上半年能尽快恢复,但具体情况还需拭目以待。虽然有一些需求在推动市场,但整体复苏尚未到来,“DRAM正在改善,但NAND仍几乎处于休眠状态。” 以SK海力士为例,从去年第四季度开始,连续四个季度录得10万亿韩元的累计赤字,但随着高带宽内存(HBM)需求的增加,其DRAM部门在第三季度转为盈余。然而,NAND需求依然低迷,供应商竞争激烈,预